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IXFB80N50Q2
140
120
Fig. 7. Input Adm ittance
120
100
Fig. 8. Transconductance
T J = -40oC
100
80
25oC
80
60
T J = 125oC
25oC
-40oC
60
125oC
40
40
20
0
20
0
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
240
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
200
160
120
80
8
7
6
5
4
3
I D = 40A
I G = 10mA
40
T J = 125oC
2
0
T J = 25oC
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
40
80
120
160
200
240
280
100000
10000
1000
100
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
1
0.1
0.01
0.001
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Im pedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V D S - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_80N50Q2(95)7-20-07-F
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